AD1668A 双N/P沟道 MOS管 耐压20V 过流2.1A 的集成MOS管,封装TSOT23-8封装,体积小,适用于板子较小的板子。相当于2个SI2301、2个SI2302的集成模块。
芯片的内阻
N沟道的基本参数
P沟道的基本参数
这种结构的方式是适用于正反接都能充电的结构模型,体积小,不占空间,成本也相对较低。
搜恒森宇电子了解更多相关功能!首页
AD1668A 双N/P沟道 MOS管 耐压20V 过流2.1A 的集成MOS管,封装TSOT23-8封装,体积小,适用于板子较小的板子。相当于2个SI2301、2个SI2302的集成模块。
芯片的内阻
N沟道的基本参数
P沟道的基本参数
这种结构的方式是适用于正反接都能充电的结构模型,体积小,不占空间,成本也相对较低。
搜恒森宇电子了解更多相关功能!首页
本文来自互联网用户投稿,该文观点仅代表作者本人,不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处:http://www.hqwc.cn/news/232104.html
如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请联系编程知识网进行投诉反馈email:809451989@qq.com,一经查实,立即删除!