MOS栅极驱动和运放所需注意的关键参数-编程知识

MOS栅极驱动和运放所需注意的关键参数

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MOS栅极驱动芯片：

自举电路：

电容的两个重要参数：

ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感）。ESR是指等效串联电阻，即电容的ESR值越高，其电阻值越大，对电路的滤波效果越差。在电容上面电压不能突变，但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变，从而降低电容的滤波效果。在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化。

ESL（等效串联电感）是指电感、电阻、芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。在计算中我们要考虑进去。一般来说在低频段，器件的管脚引线以及PCB布线都可以等效为无阻抗的，但是高频段，这些东西开始呈现出电感的特性，频率越高，阻抗也开始增大，所以抽象为等效串连电感。

运放：

1.供电电压Vs:

使用运放的时候注意运放的供电电压，并且双电源供电的运放正负电源应尽量同时加入，否则容易损坏运放，且不要带电接线，拔线等。所有运放都可以使用单电源或者双电源。

单电源供电的缺点：输出小信号时候误差较大；能处理的频率较低<=100kHZ，单电源无法输出电压有正负值的波形，运放的最大输出电压小于供电电压

输入偏置电流IB:

此参数越小越好。输入偏置电流IB是指在放大电路中，当输入电压为零时，流过晶体管的电流。输入偏置电流的存在是由于晶体管的输入端存在杂质和结构上的缺陷，导致晶体管内部存在一定程度的电流泄漏。在某些情况下，输入偏置电流可能导致放大电路的输入电阻降低，从而影响电路的增益和线性度。

噪声Vn:

不可避免，越小越好。放大小信号时必须使用低噪声运放。

静态电流IQ:

运放在没有负载情况下的待机电流，或者建立静态工作点的电流，越小越好。要求低功耗的场所格外注意此参数，但是一般低功耗的运放其他参数指标比较差。

输入失调电压VOS：

它表示运放在输入为零时，输出电压的误差。换句话说，输入失调电压是由于运放内部的不对称性或失配引起的。一般大小为1--10mv,高质量运放在1mV以下，注意1mV是高质量和通用运放的分水岭。

输入失调电压温漂dVos/dT

该参数是衡量运放温度影响效果的重要指标，一般情况下dVos/dT约为10--30摄氏度，高质量可以做到<0.5摄氏度

7增益带宽积（GBW也叫GBP）:

增益带宽积与压摆率不分家。增益带宽积：它决定了运放在特定频率下的增益。带宽增益乘积越大，运放的增益越高，速度越快。压摆率是运算放大器的参数之一，它表示运算放大器输出电压的转换速率。具体来说，压摆率是指运算放大器在单位时间内能够达到的最大输出电压变化量与对应的输入电压变化量的比值。压摆率越高，说明运算放大器的输出电压变化越快，能够更快地响应输入信号的变化。