本篇文章将同大家分享单片机FLASH编程的相关寄存器和寄存器操作及库函数操作。本篇文章依然以STM32单片机为例进行解析。有关FLASH的基本原理和实现方法，大家可以参考上一篇文章：单片机FLASH深度解析和编程实践（上）-CSDN博客
目录
一、FLASH操作的相关寄存器
二、FLASH操作相关的库函数（STM32为例）
三、FLASH操作总结
四、实验实训
一、FLASH操作的相关寄存器
1、FLASH访问控制寄存器（FLASH_ACR）
2、FLASH密匙寄存器（FLASH_KEYR）
3、FLASH控制寄存器（FLASH_CR）
4、FLASH状态寄存器（FLASH_SR）
以上寄存器是平常进行FLASH操作时常用到的4个寄存器
注意：
二、FLASH操作相关的库函数（STM32为例）
1、编程的时候如果需要开启中断，就需要使用函数HAL_StatusTypeDefHAL_FLASH_Program_IT(…………)；
2、LOCK和ULOCk分别对应解锁和关锁操作；
3、OB_Unlock对应选项字节的解锁。
4、……_WaitForLastOperation();等待SBY位，确保当前未执行任何FLASH操作
5、FLASH的擦除函数：带IT的可以开启中断
6、FLASH中断处理函数
三、FLASH操作总结
四、实验实训
本实验的目的是往STM32单片机的FLASH的固定地址中写入整型数据，然后读出来。
详细讲一下FLASH操作的函数：
#include "stmflash.h"
#include "delay.h"u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{return *(__IO uint32_t *)faddr;
}//获取某个地址所在的flash扇区
//addr:flash地址
//返回值:0~11,即addr所在的扇区
uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr)
{if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_SECTOR_0;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_SECTOR_1;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_SECTOR_2;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_SECTOR_3;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_SECTOR_4;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_SECTOR_5;else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_SECTOR_6;return FLASH_SECTOR_7;
}//从指定地址开始写入指定长度的数据
//特别注意:因为STM32F7的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数
// 写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以
// 写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里
// 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写.
//该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区!
//OTP区域地址范围:0X1FF0F000~0X1FF0F41F
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.)
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite)
{ FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;u32 SectorError=0;u32 addrx=0;u32 endaddr=0; if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址HAL_FLASH_Unlock(); //解锁 addrx=WriteAddr; //写入的起始地址endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址if(addrx<0X1FF00000){while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除){if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区{ FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS; //擦除类型，扇区擦除 FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx); //要擦除的扇区FlashEraseInit.NbSectors=1; //一次只擦除一个扇区FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3; //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK) {break;//发生错误了 }SCB_CleanInvalidateDCache(); //清除无效的D-Cache}else addrx+=4;FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成}}FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME); //等待上次操作完成if(FlashStatus==HAL_OK){while(WriteAddr<endaddr)//写数据{if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据{ break; //写入异常}WriteAddr+=4;pBuffer++;} }HAL_FLASH_Lock(); //上锁
} //从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:字(32位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)
{u32 i;for(i=0;i<NumToRead;i++){pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.ReadAddr+=4;//偏移4个字节. }
}
