HTR-4立式4寸快速退火炉

HTR-4立式4寸快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产，和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，技术指标高、工艺复杂、专用性强。

主要应用领域：

1.快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；

2.离子注入/接触退火；

3.金属合金；

4.热氧化处理；

5.化合物合金（砷化镓、氮化物等）；

6.多晶硅退火；

7.太阳能电池片退火；

8.高温退火；

9.高温扩散。

产品特点：

• 可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。
• 压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。
• 存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。
• 快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-5Pa。
• 程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。
• 独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%。
• 全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。
• 超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。
• 主要技术参数：

样品尺寸	4英寸（直径100mm）
控温范围	RT~1200℃
升温速率（max）	150℃/s
高温段降温速率（max）	1200℃/min
控温精度	±0.5℃
温场均匀性	≤1%
气体流量	标配1路MFC控制（氮气）可扩展至4路
压力控制	~1bar，±100Pa
工艺条件	支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛，一键设置通过软件控制真空及通气时间