【嵌入式硬件】三极管伏安特性曲线-饱和区

1.三极管伏安特性

        三极管工作电路如下图所示。 

        三极管伏安特性曲线

        书本上的描述:

截止区:三极管工作在截止状态,当发射结的电压Ube 小于 导通电压(0.6V-0.7V),发射结没有导通;集电结处于反向偏置,没有放大作用。

放大区:三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系。

饱和区:当三极管的集电结电流Ic增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。

 2.疑惑点-饱和区

        上面三个工作区中,截止区和放大区的原理和曲线都好理解。

        疑惑点:书本上说在这个区域中Ic不再随着Ib的增大而增大,但观察饱和区的曲线,那不都是一根根斜率很大的曲线吗?也就是说,在这个区域中,Ic不仅不是没有随

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