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ASE65R180-ASEMI超洁MOS管ASE65R180
型号:ASE100N10
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
批号:最新
最大漏源电流:21A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:180mΩ
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:P沟道MOS管、超洁MOS管
漏电流:ua
特性:P沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的ASE65R180 MOS管
ASEMI品牌ASE65R180是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE65R180的最大漏源电流21A,漏源击穿电压650V.
•细节体现差距
ASE65R180,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
ASE65R180具体参数为:最大漏源电流:21A,漏源击穿电压:650V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F