编辑:ll
65R330-ASEMI超洁MOS管65R330
型号:65R330
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
批号:最新
最大漏源电流:13A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:330mΩ
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管、超洁MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的65R330 MOS管
ASEMI品牌65R330是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了65R330的最大漏源电流13A,漏源击穿电压650V.
•细节体现差距
65R330,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
65R330具体参数为:最大漏源电流:13A,漏源击穿电压:650V,反向恢复时间: ns,封装:TO-220F