场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

根据栅的结构,场效应晶体管可以分为三种：

①结型场效应管(用PN结构成栅极);

②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统);

③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极);其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模集成电路的发展中,MOS大规模集成电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波晶体管上。

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等;配上光电二极管列阵，可用作摄像管。

MOS场效应管的分类：

MOS场效应管按其沟道和工作类型可分为四种：N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型。表2.1列出了四种场效应管的特点。

特性曲线

图2.4示出了增强型NMOS管共源电路的转移特性和输出特性曲线。

图(a)的转移特性曲线描述MOS管栅源电压uGS和漏极电流iD之间的关系。因为uGS是输入回路的电压，而iD是输出回路的电流，故称转移特性。可以看出：

当uGS很小时：iD基本上为0，管子截止;当uGS大于UTN(UTN称作开启电压)时：iD 随uGS的增加而增加。

图(b)的输出特性曲线描述漏源电压uDS和漏极电流iD之间的关系。可以看出，它分作三个区域：

夹断区: uGS < UTN的区域 。在夹断区，管子处于截止状态，漏源间的等效电阻极高。漏极电流几乎为0，输出回路近似开路;

可变电阻区：uGS >UTN且uDS较小(uDS< uGS-UTN)的区域 。在可变电阻区，iD和uDS之间呈线性关系，uGS值越大，曲线越陡，漏源间的等效电阻就越小;

恒流区：uGS >UTN且uDS较大(uDS> uGS-UTN)的区域 。在恒流区，iD只取决于uGS，而与uDS无关。

表2. 2列出了MOS管工作在截止和导通状态时的条件及特点。

表2.2

	NMOS管	PMOS管	特         点
截止	uGS <UTN	uGS >UTP	RDS非常大,相当于开关断开
导通	uGS ³ UTN	uGS £ UTP	rON非常小,相当于开关闭合

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