4月1日消息，据半导体工程报道，在行业大会Memcon 2024上，三星电子宣布其计划成为首家在2025年后步入3D DRAM内存时代的行业领军者。随着DRAM内存行业在本十年后期将线宽压缩至低于10纳米，现有的设计解决方案在如此精细的尺度上难以进一步扩展，因此业界正在探索包括3D DRAM在内的多种创新内存设计。
三星最新美国3D DRAM实验室树立新标杆
在Memcon 2024大会上，三星在其演示文稿中展示了两项新型3D DRAM内存技术，即垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠DRAM（Stacked DRAM）。
相较于传统晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向由水平改为垂直，这虽能显著减小器件面积占用，但对刻蚀工艺的精度要求更高。
相较于现有的2D DRAM结构，堆叠DRAM能充分利用Z轴空间，在较小区域内容纳更多存储单元，使得单颗芯片容量提升至超过100G级别。
预计到2028年，3D DRAM市场规模将达到1000亿美元（注：按当前汇率约为7240亿人民币）。为了与其它主要内存制造商竞争，三星已于今年早些时候在美国硅谷开设了一家新的3D DRAM研发实验室。
