摘要
CoolSiC™ 650V G2 MOSFET可通过降低能耗来充分利用碳化硅的性能，从而在功率转换过程中实现更高效率。 这些CoolSiC 650V G2 MOSFET适用于各种功率半导体应用，如光伏、能量存储、电动汽车直流充电、电机驱动器和工业电源。配备CoolSiC G2的电动汽车用直流快速充电站与前几代产品相比，功耗降低了10%,同时实现更高的充电容量，且不影响外形尺寸。
相关型号：
IMTA65R060M2H
IMTA65R040M2H
IMTA65R050M2H
IMTA65R020M2H
IMLT65R020M2H
IMLT65R050M2H
IMLT65R040M2H
IMLT65R015M2H
IMLT65R060M2H
明佳达——【适用于各种工业应用】IMLT65R050M2H IMLT65R040M2H IMLT65R015M2H IMLT65R060M2H CoolSiC™ 650V G2 MOSFET功率器件
特性
灵活的驱动电压，兼容双极驱动方案
基准栅极阈值电压VGS(th) =4.5V
即使在0V关断栅极电压下，也能防止寄生导通
超低开关损耗
在硬换向事件下，体二极管仍能可靠工作
.XT互连技术，实现同类最佳的散热性能
应用
SMPS
太阳能光伏逆变器
能量存储和电池形成
UPS
电动汽车充电基础设施
电机驱动器
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