正点原子新起点V2开发板FPGA关于SDRAM代码解读
1. SDRAM 概述
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存储器，广泛用于FPGA项目中。通过SDRAM控制模块，可以实现数据读写、刷新等操作。本文对SDRAM的控制模块进行详细解读，分析代码中的命令控制、数据传输、状态管理等内容。
2.代码文件整体关系
以下是关于SDRAM模块的代码关系整理，便于对后续笔记有一个整体了解：
2.1. 顶层文件
- sdram_test：整个SDRAM系统的最顶层文件，用于测试与集成。
2.2. 测试与错误提示模块
- sdram_rw_test：用于写测试数据的模块，负责测试SDRAM的读写操作。
- led_disp：LED显示模块，用于进行错误提示，显示SDRAM操作的状态或错误。
2.3. 整合SDRAM模块（6个文件）
- sdram_top：SDRAM模块的顶层文件，负责协调和整合以下子模块。
- sdram_fifo_ctrl：FIFO控制模块，管理FIFO的读写操作，确保数据正确传输至SDRAM。
- sdram_controller：SDRAM控制器，负责管理对SDRAM的指令发送与数据操作。
- sdram_para：SDRAM模块的参数列表，定义SDRAM的相关配置参数。
- sdram_ctrl：状态控制模块，负责管理SDRAM的状态机。
- sdram_cmd：命令控制模块，负责生成SDRAM的命令信号。
- sdram_data：数据读写模块，处理SDRAM的读写操作与数据传输。
下面关系图可以帮助清晰理解各模块之间的层级与功能：
图脚注提到的状态机可以在我的 SDRAM 学习笔记随笔中找到，下面再展示一次状态图方便阅读：
（初始化状态机）
（工作状态机）
3. 模块介绍
3.1. 顶层文件
顶层文件 sdram_rw_test.v 分析
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// File name: sdram_rw_test
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM读写测试顶层模块
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// Created by: 正点原子
// Created date: 2018/3/18 8:41:06
// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module sdram_rw_test(input clk, //FPGA外部时钟，50Minput rst_n, //按键复位，低电平有效//SDRAM 芯片接口output sdram_clk, //SDRAM 芯片时钟output sdram_cke, //SDRAM 时钟有效output sdram_cs_n, //SDRAM 片选output sdram_ras_n, //SDRAM 行有效output sdram_cas_n, //SDRAM 列有效output sdram_we_n, //SDRAM 写有效output [ 1:0] sdram_ba, //SDRAM Bank地址output [12:0] sdram_addr, //SDRAM 行/列地址inout [15:0] sdram_data, //SDRAM 数据output [ 1:0] sdram_dqm, //SDRAM 数据掩码//LEDoutput [ 1:0] led //状态指示灯
);
//parameter
parameter ADDR_MIN = 24'd0; //最小地址
parameter ADDR_MAX = 24'd2048; //最大地址
parameter LEN = 10'd512; //突发长度//wire define
wire clk_50m; //SDRAM 读写测试时钟
wire clk_100m; //SDRAM 控制器时钟
wire clk_100m_shift; //相位偏移时钟wire wr_en; //SDRAM 写端口:写使能
wire [15:0] wr_data; //SDRAM 写端口:写入的数据
wire rd_en; //SDRAM 读端口:读使能
wire [15:0] rd_data; //SDRAM 读端口:读出的数据
wire sdram_init_done; //SDRAM 初始化完成信号wire locked; //PLL输出有效标志
wire sys_rst_n; //系统复位信号
wire error_flag; //读写测试错误标志//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //待PLL输出稳定之后，停止系统复位
assign sys_rst_n = rst_n & locked;//例化PLL, 产生各模块所需要的时钟
pll_clk u_pll_clk(.inclk0 (clk),.areset (~rst_n),.c0 (clk_50m),.c1 (clk_100m),.c2 (clk_100m_shift),.locked (locked));//SDRAM测试模块，对SDRAM进行读写测试
sdram_test # (.WR_CNT (ADDR_MAX),.RD_CNT (ADDR_MAX))
u_sdram_test(.clk_50m (clk_50m),.rst_n (sys_rst_n),.wr_en (wr_en),.wr_data (wr_data),.rd_en (rd_en),.rd_data (rd_data), .sdram_init_done (sdram_init_done), .error_flag (error_flag));//利用LED灯指示SDRAM读写测试的结果
led_disp u_led_disp(.clk_50m (clk_50m),.rst_n (sys_rst_n),.sdram_init_done (sdram_init_done),.error_flag (error_flag),.led (led) );//SDRAM 控制器顶层模块,封装成FIFO接口
//SDRAM 控制器地址组成: {bank_addr[1:0],row_addr[12:0],col_addr[8:0]}
sdram_top u_sdram_top(.ref_clk (clk_100m), //sdram 控制器参考时钟.out_clk (clk_100m_shift), //用于输出的相位偏移时钟.rst_n (sys_rst_n), //系统复位//用户写端口.wr_clk (clk_50m), //写端口FIFO: 写时钟.wr_en (wr_en), //写端口FIFO: 写使能.wr_data (wr_data), //写端口FIFO: 写数据.wr_min_addr (ADDR_MIN), //写SDRAM的起始地址.wr_max_addr (ADDR_MAX), //写SDRAM的结束地址.wr_len (LEN), //写SDRAM时的数据突发长度.wr_load (~sys_rst_n), //写端口复位: 复位写地址,清空写FIFO//用户读端口.rd_clk (clk_50m), //读端口FIFO: 读时钟.rd_en (rd_en), //读端口FIFO: 读使能.rd_data (rd_data), //读端口FIFO: 读数据.rd_min_addr (ADDR_MIN), //读SDRAM的起始地址.rd_max_addr (ADDR_MAX), //读SDRAM的结束地址.rd_len (LEN), //从SDRAM中读数据时的突发长度.rd_load (~sys_rst_n), //读端口复位: 复位读地址,清空读FIFO//用户控制端口 .sdram_read_valid (1'b1), //SDRAM 读使能.sdram_init_done (sdram_init_done), //SDRAM 初始化完成标志//SDRAM 芯片接口.sdram_clk (sdram_clk), //SDRAM 芯片时钟.sdram_cke (sdram_cke), //SDRAM 时钟有效.sdram_cs_n (sdram_cs_n), //SDRAM 片选.sdram_ras_n (sdram_ras_n), //SDRAM 行有效.sdram_cas_n (sdram_cas_n), //SDRAM 列有效.sdram_we_n (sdram_we_n), //SDRAM 写有效.sdram_ba (sdram_ba), //SDRAM Bank地址.sdram_addr (sdram_addr), //SDRAM 行/列地址.sdram_data (sdram_data), //SDRAM 数据.sdram_dqm (sdram_dqm) //SDRAM 数据掩码
);endmodule
这个模块将SDRAM控制器和测试模块组合起来，并通过PLL生成所需的时钟信号，控制SDRAM的工作时序。
主要功能：
- PLL时钟生成：利用PLL生成多个时钟信号，包括SDRAM读写操作所需的
clk_50m、SDRAM控制器时钟clk_100m，以及带有相位偏移的clk_100m_shift。 - 测试模块：实例化
sdram_test模块，并进行SDRAM的读写测试，测试结果通过LED显示。 - SDRAM控制器集成：通过实例化
SDRAM_top模块，连接SDRAM芯片的接口，实现SDRAM的FIFO读写操作。 - 错误提示：实例化
led_disp模块，通过LED指示读写是否出现错误。
关键逻辑：
- 时钟和复位信号：模块利用PLL产生多种时钟，且通过
locked信号控制系统复位sys_rst_n。 - SDRAM控制器与读写测试：SDRAM控制器通过FIFO接口连接SDRAM，提供了写操作与读操作的控制信号
wr_en和rd_en。 - LED状态显示：当SDRAM完成初始化和读写时，LED根据是否发生错误来显示状态。
3.2. 测试与错误提示模块
测试文件 sdram_test.v 分析
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// File name: sdram_test
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM读写测试: 向SDRAM中写入数据,然后将数据读出,并判断读出的数据是否正确
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// Created by: 正点原子
// Created date: 2018/3/18 8:41:06
// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module sdram_test(input clk_50m, //时钟input rst_n, //复位,低有效output reg wr_en, //SDRAM 写使能output reg [15:0] wr_data, //SDRAM 写入的数据output reg rd_en, //SDRAM 读使能input [15:0] rd_data, //SDRAM 读出的数据input sdram_init_done, //SDRAM 初始化完成标志output reg error_flag //SDRAM 读写测试错误标志
);
//parameter
parameter WR_CNT = 24'd1024;
parameter RD_CNT = 24'd1024;
//reg define
reg init_done_d0; //寄存SDRAM初始化完成信号
reg init_done_d1; //寄存SDRAM初始化完成信号
reg [23:0] wr_cnt; //写操作计数器
reg [23:0] rd_cnt; //读操作计数器
reg rd_valid; //读数据有效标志//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //同步SDRAM初始化完成信号
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n) begininit_done_d0 <= 1'b0;init_done_d1 <= 1'b0;endelse begininit_done_d0 <= sdram_init_done;init_done_d1 <= init_done_d0;end
end //SDRAM初始化完成之后,写操作计数器开始计数
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n) wr_cnt <= 24'd0; else if(init_done_d1 && (wr_cnt <= WR_CNT))wr_cnt <= wr_cnt + 1'b1;elsewr_cnt <= wr_cnt;
end //SDRAM写端口FIFO的写使能、写数据(1~1024)
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n) begin wr_en <= 1'b0;wr_data <= 16'd0;endelse if((wr_cnt >= 24'd1) && (wr_cnt <= WR_CNT)) beginwr_en <= 1'b1; //写使能拉高wr_data <= wr_cnt; //写入数据1~1024end else beginwr_en <= 1'b0;wr_data <= 16'd0;end
end //写入数据完成后,开始读操作
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n) rd_en <= 1'b0;else if(wr_cnt > WR_CNT) //写数据完成rd_en <= 1'b1; //读使能拉高
end//对读操作计数
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n) rd_cnt <= 24'd0;else if(rd_en) beginif(rd_cnt < RD_CNT)rd_cnt <= rd_cnt + 1'b1;elserd_cnt <= 24'd1;end
end//第一次读取的数据无效,后续读操作所读取的数据才有效
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n) rd_valid <= 1'b0;else if(rd_cnt == RD_CNT) //等待第一次读操作结束rd_valid <= 1'b1; //后续读取的数据有效elserd_valid <= rd_valid;
end //读数据有效时,若读取数据错误,给出标志信号
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n)error_flag <= 1'b0; else if(rd_valid && (rd_data != rd_cnt))error_flag <= 1'b1; //若读取的数据错误,将错误标志位拉高 elseerror_flag <= error_flag;
endendmodule
该模块的主要功能是进行SDRAM的写操作和读操作的计数，并在操作完成后验证数据的一致性。如果数据读写不一致，则通过error_flag标志位报告错误。
主要功能：
- SDRAM初始化同步：通过两个寄存器
init_done_d0和init_done_d1实现SDRAM初始化信号的同步。 - 写操作：通过写操作计数器
wr_cnt，从1到1024依次向SDRAM写入数据，控制信号wr_en和数据wr_data随计数器变化。 - 读操作：当写操作完成后，读操作计数器
rd_cnt开始计数，并启用rd_en进行数据读取。 - 错误检测：通过比较读取的数据
rd_data和rd_cnt判断是否出错，如果出错，error_flag被置1。
关键逻辑：
- 写入过程：
wr_cnt控制写数据的范围（1~1024），写使能信号wr_en与写数据同步。 - 读出过程：当写操作结束后，开始读操作，
rd_cnt用于记录读操作次数，并通过rd_valid标志区分有效数据。 - 错误检测：通过比较读取到的
rd_data和rd_cnt，如果不一致则置位error_flag。
错误检测 led_disp 模块
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// File name: led_disp
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: LED显示模块，利用LED灯指示SDRAM读写测试的结果
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// Created by: 正点原子
// Created date: 2018/3/18 8:41:06
// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module led_disp(input clk_50m, //系统时钟input rst_n, //系统复位input sdram_init_done,//SDRAM初始化完成input error_flag, //错误标志信号output reg [1:0] led //LED灯 );
//parameter ddefine
parameter LED_CNT = 25'd25000000;
//reg define
reg [24:0] led_cnt; //控制LED闪烁周期的计数器//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //计数器对50MHz时钟计数，计数周期为0.5s
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(!rst_n)led_cnt <= 25'd0;else if(led_cnt < LED_CNT) led_cnt <= led_cnt + 25'd1;elseled_cnt <= 25'd0;
end//利用LED灯不同的显示状态指示错误标志的高低
always @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(rst_n == 1'b0)led[0] <= 1'b0;else if(!sdram_init_done)beginif(led_cnt == LED_CNT) led[0] <= ~led[0]; //SDRAM初始化失败时，LED灯每隔0.5s闪烁一次elseled[0] <= led[0];endelseled[0] <= 1'b1; //错误标志为低时，LED灯常亮
endalways @(posedge clk_50m or negedge rst_n) beginif(rst_n == 1'b0)led[1] <= 1'b0;else if(error_flag) beginif(led_cnt == LED_CNT) led[1] <= ~led[1]; //错误标志为高时，LED灯每隔0.5s闪烁一次elseled[1] <= led[1];end elseled[1] <= 1'b1; //错误标志为低时，LED灯常亮
endendmodule
led_disp 模块负责控制LED灯的状态，以指示SDRAM初始化是否成功以及系统中是否有错误：
-
输入信号：
clk_50m: 系统时钟，50MHzrst_n: 系统复位信号，低电平有效sdram_init_done: SDRAM初始化完成信号error_flag: 错误标志信号
-
功能：
- 当SDRAM初始化未完成时，LED[0]会以0.5秒的周期闪烁；若初始化成功，LED[0]常亮。
- 当检测到错误标志
error_flag时，LED[1]以0.5秒周期闪烁；若无错误，LED[1]常亮。
3.3. 整合SDRAM模块（6个文件）
3.3.1整合模块 sdram_top 顶层文件
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// File name: sdram_test
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM 控制器顶层模块
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// Created by: 正点原子
// Created date: 2018/3/18 8:41:06
// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module sdram_top(input ref_clk, //sdram 控制器参考时钟input out_clk, //用于输出的相位偏移时钟input rst_n, //系统复位//用户写端口 input wr_clk, //写端口FIFO: 写时钟input wr_en, //写端口FIFO: 写使能input [15:0] wr_data, //写端口FIFO: 写数据input [23:0] wr_min_addr, //写SDRAM的起始地址input [23:0] wr_max_addr, //写SDRAM的结束地址input [ 9:0] wr_len, //写SDRAM时的数据突发长度input wr_load, //写端口复位: 复位写地址,清空写FIFO//用户读端口input rd_clk, //读端口FIFO: 读时钟input rd_en, //读端口FIFO: 读使能output [15:0] rd_data, //读端口FIFO: 读数据input [23:0] rd_min_addr, //读SDRAM的起始地址input [23:0] rd_max_addr, //读SDRAM的结束地址input [ 9:0] rd_len, //从SDRAM中读数据时的突发长度input rd_load, //读端口复位: 复位读地址,清空读FIFO//用户控制端口 input sdram_read_valid, //SDRAM 读使能output sdram_init_done, //SDRAM 初始化完成标志//SDRAM 芯片接口output sdram_clk, //SDRAM 芯片时钟output sdram_cke, //SDRAM 时钟有效output sdram_cs_n, //SDRAM 片选output sdram_ras_n, //SDRAM 行有效output sdram_cas_n, //SDRAM 列有效output sdram_we_n, //SDRAM 写有效output [ 1:0] sdram_ba, //SDRAM Bank地址output [12:0] sdram_addr, //SDRAM 行/列地址inout [15:0] sdram_data, //SDRAM 数据output [ 1:0] sdram_dqm //SDRAM 数据掩码);//wire define
wire sdram_wr_req; //sdram 写请求
wire sdram_wr_ack; //sdram 写响应
wire [23:0] sdram_wr_addr; //sdram 写地址
wire [15:0] sdram_din; //写入sdram中的数据wire sdram_rd_req; //sdram 读请求
wire sdram_rd_ack; //sdram 读响应
wire [23:0] sdram_rd_addr; //sdram 读地址
wire [15:0] sdram_dout; //从sdram中读出的数据//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** assign sdram_clk = out_clk; //将相位偏移时钟输出给sdram芯片
assign sdram_dqm = 2'b00; //读写过程中均不屏蔽数据线//SDRAM 读写端口FIFO控制模块
sdram_fifo_ctrl u_sdram_fifo_ctrl(.clk_ref (ref_clk), //SDRAM控制器时钟.rst_n (rst_n), //系统复位//用户写端口.clk_write (wr_clk), //写端口FIFO: 写时钟.wrf_wrreq (wr_en), //写端口FIFO: 写请求.wrf_din (wr_data), //写端口FIFO: 写数据 .wr_min_addr (wr_min_addr), //写SDRAM的起始地址.wr_max_addr (wr_max_addr), //写SDRAM的结束地址.wr_length (wr_len), //写SDRAM时的数据突发长度.wr_load (wr_load), //写端口复位: 复位写地址,清空写FIFO //用户读端口.clk_read (rd_clk), //读端口FIFO: 读时钟.rdf_rdreq (rd_en), //读端口FIFO: 读请求.rdf_dout (rd_data), //读端口FIFO: 读数据.rd_min_addr (rd_min_addr), //读SDRAM的起始地址.rd_max_addr (rd_max_addr), //读SDRAM的结束地址.rd_length (rd_len), //从SDRAM中读数据时的突发长度.rd_load (rd_load), //读端口复位: 复位读地址,清空读FIFO//用户控制端口 .sdram_read_valid (sdram_read_valid), //sdram 读使能.sdram_init_done (sdram_init_done), //sdram 初始化完成标志//SDRAM 控制器写端口.sdram_wr_req (sdram_wr_req), //sdram 写请求.sdram_wr_ack (sdram_wr_ack), //sdram 写响应.sdram_wr_addr (sdram_wr_addr), //sdram 写地址.sdram_din (sdram_din), //写入sdram中的数据//SDRAM 控制器读端口.sdram_rd_req (sdram_rd_req), //sdram 读请求.sdram_rd_ack (sdram_rd_ack), //sdram 读响应.sdram_rd_addr (sdram_rd_addr), //sdram 读地址.sdram_dout (sdram_dout) //从sdram中读出的数据);//SDRAM控制器
sdram_controller u_sdram_controller(.clk (ref_clk), //sdram 控制器时钟.rst_n (rst_n), //系统复位//SDRAM 控制器写端口 .sdram_wr_req (sdram_wr_req), //sdram 写请求.sdram_wr_ack (sdram_wr_ack), //sdram 写响应.sdram_wr_addr (sdram_wr_addr), //sdram 写地址.sdram_wr_burst (wr_len), //写sdram时数据突发长度.sdram_din (sdram_din), //写入sdram中的数据//SDRAM 控制器读端口.sdram_rd_req (sdram_rd_req), //sdram 读请求.sdram_rd_ack (sdram_rd_ack), //sdram 读响应.sdram_rd_addr (sdram_rd_addr), //sdram 读地址.sdram_rd_burst (rd_len), //读sdram时数据突发长度.sdram_dout (sdram_dout), //从sdram中读出的数据.sdram_init_done (sdram_init_done), //sdram 初始化完成标志//SDRAM 芯片接口.sdram_cke (sdram_cke), //SDRAM 时钟有效.sdram_cs_n (sdram_cs_n), //SDRAM 片选.sdram_ras_n (sdram_ras_n), //SDRAM 行有效 .sdram_cas_n (sdram_cas_n), //SDRAM 列有效.sdram_we_n (sdram_we_n), //SDRAM 写有效.sdram_ba (sdram_ba), //SDRAM Bank地址.sdram_addr (sdram_addr), //SDRAM 行/列地址.sdram_data (sdram_data) //SDRAM 数据 );endmodule
sdram_top 是整个SDRAM控制系统的顶层模块，它集成了SDRAM FIFO控制模块和SDRAM控制器模块：
-
输入输出信号：
- 提供与用户的数据写入、读取控制信号以及SDRAM的接口信号。
- 包含数据突发读写地址、数据长度等控制参数，完成SDRAM的整体控制。
-
主要功能：
- 通过集成FIFO控制模块和SDRAM控制器模块，实现对SDRAM的读写操作，并通过
sdram_init_done信号反馈初始化是否完成。
- 通过集成FIFO控制模块和SDRAM控制器模块，实现对SDRAM的读写操作，并通过
-
SDRAM 读写：
- 用户通过写时钟和读时钟（
wr_clk、rd_clk）与FIFO交互，进行SDRAM的读写操作。
- 用户通过写时钟和读时钟（
3.3.2控制FIFO模块sdram_fifo_ctrl 文件
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//关注微信公众平台微信号："正点原子"，免费获取FPGA & STM32资料。
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// File name: sdram_fifo_ctrl
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM 读写端口FIFO控制模块
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// Created by: 正点原子
// Created date: 2018/3/18 8:41:06
// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
//----------------------------------------------------------------------------------------
//****************************************************************************************//module sdram_fifo_ctrl(input clk_ref, //SDRAM控制器时钟input rst_n, //系统复位 //用户写端口 input clk_write, //写端口FIFO: 写时钟 input wrf_wrreq, //写端口FIFO: 写请求 input [15:0] wrf_din, //写端口FIFO: 写数据 input [23:0] wr_min_addr, //写SDRAM的起始地址input [23:0] wr_max_addr, //写SDRAM的结束地址input [ 9:0] wr_length, //写SDRAM时的数据突发长度 input wr_load, //写端口复位: 复位写地址,清空写FIFO //用户读端口 input clk_read, //读端口FIFO: 读时钟input rdf_rdreq, //读端口FIFO: 读请求 output [15:0] rdf_dout, //读端口FIFO: 读数据input [23:0] rd_min_addr, //读SDRAM的起始地址input [23:0] rd_max_addr, //读SDRAM的结束地址input [ 9:0] rd_length, //从SDRAM中读数据时的突发长度 input rd_load, //读端口复位: 复位读地址,清空读FIFO//用户控制端口 input sdram_read_valid, //SDRAM 读使能input sdram_init_done, //SDRAM 初始化完成标志//SDRAM 控制器写端口 output reg sdram_wr_req, //sdram 写请求input sdram_wr_ack, //sdram 写响应output reg [23:0] sdram_wr_addr, //sdram 写地址output [15:0] sdram_din, //写入SDRAM中的数据 //SDRAM 控制器读端口 output reg sdram_rd_req, //sdram 读请求input sdram_rd_ack, //sdram 读响应output reg [23:0] sdram_rd_addr, //sdram 读地址 input [15:0] sdram_dout //从SDRAM中读出的数据 );//reg define
reg wr_ack_r1; //sdram写响应寄存器
reg wr_ack_r2;
reg rd_ack_r1; //sdram读响应寄存器
reg rd_ack_r2;
reg wr_load_r1; //写端口复位寄存器
reg wr_load_r2;
reg rd_load_r1; //读端口复位寄存器
reg rd_load_r2;
reg read_valid_r1; //sdram读使能寄存器
reg read_valid_r2; //wire define
wire write_done_flag; //sdram_wr_ack 下降沿标志位
wire read_done_flag; //sdram_rd_ack 下降沿标志位
wire wr_load_flag; //wr_load 上升沿标志位
wire rd_load_flag; //rd_load 上升沿标志位
wire [10:0] wrf_use; //写端口FIFO中的数据量
wire [10:0] rdf_use; //读端口FIFO中的数据量//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //检测下降沿
assign write_done_flag = wr_ack_r2 & ~wr_ack_r1;
assign read_done_flag = rd_ack_r2 & ~rd_ack_r1;//检测上升沿
assign wr_load_flag = ~wr_load_r2 & wr_load_r1;
assign rd_load_flag = ~rd_load_r2 & rd_load_r1;//寄存sdram写响应信号,用于捕获sdram_wr_ack下降沿
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginwr_ack_r1 <= 1'b0;wr_ack_r2 <= 1'b0;endelse beginwr_ack_r1 <= sdram_wr_ack;wr_ack_r2 <= wr_ack_r1; end
end //寄存sdram读响应信号,用于捕获sdram_rd_ack下降沿
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginrd_ack_r1 <= 1'b0;rd_ack_r2 <= 1'b0;endelse beginrd_ack_r1 <= sdram_rd_ack;rd_ack_r2 <= rd_ack_r1;end
end //同步写端口复位信号，用于捕获wr_load上升沿
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginwr_load_r1 <= 1'b0;wr_load_r2 <= 1'b0;endelse beginwr_load_r1 <= wr_load;wr_load_r2 <= wr_load_r1;end
end//同步读端口复位信号，同时用于捕获rd_load上升沿
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginrd_load_r1 <= 1'b0;rd_load_r2 <= 1'b0;endelse beginrd_load_r1 <= rd_load;rd_load_r2 <= rd_load_r1;end
end//同步sdram读使能信号
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginread_valid_r1 <= 1'b0;read_valid_r2 <= 1'b0;endelse beginread_valid_r1 <= sdram_read_valid;read_valid_r2 <= read_valid_r1;end
end//sdram写地址产生模块
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n)sdram_wr_addr <= wr_min_addr; else if(wr_load_flag) //检测到写端口复位信号时，写地址复位sdram_wr_addr <= wr_min_addr; else if(write_done_flag) begin //若突发写SDRAM结束，更改写地址//若未到达写SDRAM的结束地址，则写地址累加if(sdram_wr_addr < wr_max_addr - wr_length)sdram_wr_addr <= sdram_wr_addr + wr_length;else //若已到达写SDRAM的结束地址，则回到写起始地址sdram_wr_addr <= wr_min_addr;end
end//sdram读地址产生模块
always @(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n)sdram_rd_addr <= rd_min_addr;else if(rd_load_flag) //检测到读端口复位信号时，读地址复位sdram_rd_addr <= rd_min_addr;else if(read_done_flag) begin //突发读SDRAM结束，更改读地址//若未到达读SDRAM的结束地址，则读地址累加if(sdram_rd_addr < rd_max_addr - rd_length)sdram_rd_addr <= sdram_rd_addr + rd_length;else //若已到达读SDRAM的结束地址，则回到读起始地址sdram_rd_addr <= rd_min_addr;end
end//sdram 读写请求信号产生模块
always@(posedge clk_ref or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginsdram_wr_req <= 0;sdram_rd_req <= 0;endelse if(sdram_init_done) begin //SDRAM初始化完成后才能响应读写请求//优先执行写操作，防止写入SDRAM中的数据丢失if(wrf_use >= wr_length) begin //若写端口FIFO中的数据量达到了写突发长度sdram_wr_req <= 1; //发出写sdarm请求sdram_rd_req <= 0; endelse if((rdf_use < rd_length) //若读端口FIFO中的数据量小于读突发长度，&& read_valid_r2) begin //同时sdram读使能信号为高sdram_wr_req <= 0; sdram_rd_req <= 1; //发出读sdarm请求endelse beginsdram_wr_req <= 0;sdram_rd_req <= 0;endendelse beginsdram_wr_req <= 0;sdram_rd_req <= 0;end
end//例化写端口FIFO
wrfifo u_wrfifo(//用户接口.wrclk (clk_write), //写时钟.wrreq (wrf_wrreq), //写请求.data (wrf_din), //写数据//sdram接口.rdclk (clk_ref), //读时钟.rdreq (sdram_wr_ack), //读请求.q (sdram_din), //读数据.rdusedw (wrf_use), //FIFO中的数据量.aclr (~rst_n | wr_load_flag) //异步清零信号); //例化读端口FIFO
rdfifo u_rdfifo(//sdram接口.wrclk (clk_ref), //写时钟.wrreq (sdram_rd_ack), //写请求.data (sdram_dout), //写数据//用户接口.rdclk (clk_read), //读时钟.rdreq (rdf_rdreq), //读请求.q (rdf_dout), //读数据.wrusedw (rdf_use), //FIFO中的数据量.aclr (~rst_n | rd_load_flag) //异步清零信号 );endmodule
sdram_fifo_ctrl 模块负责管理SDRAM读写端口的FIFO控制逻辑：
-
输入输出信号：
- 接收SDRAM写请求、写数据、写地址等信号，并与SDRAM控制器进行读写交互。
-
功能：
- 检测SDRAM写、读请求并进行相应的地址控制和数据传输。
- 通过内部寄存器和标志位检测写读操作的完成状态。
-
信号控制：
- 检测写/读操作的响应信号，更新状态寄存器，保证写入和读取FIFO中的数据能按要求传输到SDRAM。
3.3.3sdram_controller 模块分析
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// File name: sdram_controller
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM 控制器
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// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
//----------------------------------------------------------------------------------------
//****************************************************************************************//module sdram_controller(input clk, //SDRAM控制器时钟，100MHzinput rst_n, //系统复位信号，低电平有效//SDRAM 控制器写端口 input sdram_wr_req, //写SDRAM请求信号output sdram_wr_ack, //写SDRAM响应信号input [23:0] sdram_wr_addr, //SDRAM写操作的地址input [ 9:0] sdram_wr_burst, //写sdram时数据突发长度input [15:0] sdram_din, //写入SDRAM的数据//SDRAM 控制器读端口 input sdram_rd_req, //读SDRAM请求信号output sdram_rd_ack, //读SDRAM响应信号input [23:0] sdram_rd_addr, //SDRAM写操作的地址input [ 9:0] sdram_rd_burst, //读sdram时数据突发长度output [15:0] sdram_dout, //从SDRAM读出的数据output sdram_init_done, //SDRAM 初始化完成标志// FPGA与SDRAM硬件接口output sdram_cke, // SDRAM 时钟有效信号output sdram_cs_n, // SDRAM 片选信号output sdram_ras_n, // SDRAM 行地址选通脉冲output sdram_cas_n, // SDRAM 列地址选通脉冲output sdram_we_n, // SDRAM 写允许位output [ 1:0] sdram_ba, // SDRAM L-Bank地址线output [12:0] sdram_addr, // SDRAM 地址总线inout [15:0] sdram_data // SDRAM 数据总线);//wire define
wire [4:0] init_state; // SDRAM初始化状态
wire [3:0] work_state; // SDRAM工作状态
wire [9:0] cnt_clk; // 延时计数器
wire sdram_rd_wr; // SDRAM读/写控制信号,低电平为写，高电平为读//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** // SDRAM 状态控制模块
sdram_ctrl u_sdram_ctrl( .clk (clk), .rst_n (rst_n),.sdram_wr_req (sdram_wr_req), .sdram_rd_req (sdram_rd_req),.sdram_wr_ack (sdram_wr_ack),.sdram_rd_ack (sdram_rd_ack), .sdram_wr_burst (sdram_wr_burst),.sdram_rd_burst (sdram_rd_burst),.sdram_init_done (sdram_init_done),.init_state (init_state),.work_state (work_state),.cnt_clk (cnt_clk),.sdram_rd_wr (sdram_rd_wr));// SDRAM 命令控制模块
sdram_cmd u_sdram_cmd( .clk (clk),.rst_n (rst_n),.sys_wraddr (sdram_wr_addr), .sys_rdaddr (sdram_rd_addr),.sdram_wr_burst (sdram_wr_burst),.sdram_rd_burst (sdram_rd_burst),.init_state (init_state), .work_state (work_state),.cnt_clk (cnt_clk),.sdram_rd_wr (sdram_rd_wr),.sdram_cke (sdram_cke), .sdram_cs_n (sdram_cs_n), .sdram_ras_n (sdram_ras_n), .sdram_cas_n (sdram_cas_n), .sdram_we_n (sdram_we_n), .sdram_ba (sdram_ba), .sdram_addr (sdram_addr));// SDRAM 数据读写模块
sdram_data u_sdram_data( .clk (clk),.rst_n (rst_n),.sdram_data_in (sdram_din),.sdram_data_out (sdram_dout),.work_state (work_state),.cnt_clk (cnt_clk),.sdram_data (sdram_data));endmodule
该模块是顶层模块，整合了多个子模块，管理FPGA与SDRAM之间的交互，提供了一些基本的读写请求信号和硬件接口信号。它的主要功能是：
- 初始化 SDRAM：模块负责在系统启动时完成对SDRAM的初始化，包括预充电、自动刷新和模式寄存器设置。
- 读写操作：在完成初始化后，模块通过内部状态机管理SDRAM的读写请求，并在突发读写期间与SDRAM通信。
- 接口信号处理：包含SDRAM控制器的多种信号接口，如片选信号、地址线、数据总线等。
3.3.3.1 sdram_para 参数文件分析
// SDRAM 初始化过程各个状态
`define I_NOP 5'd0 //等待上电200us稳定期结束
`define I_PRE 5'd1 //预充电状态
`define I_TRP 5'd2 //等待预充电完成 tRP
`define I_AR 5'd3 //自动刷新
`define I_TRF 5'd4 //等待自动刷新结束 tRC
`define I_MRS 5'd5 //模式寄存器设置
`define I_TRSC 5'd6 //等待模式寄存器设置完成 tRSC
`define I_DONE 5'd7 //初始化完成// SDRAM 工作过程各个状态
`define W_IDLE 4'd0 //空闲
`define W_ACTIVE 4'd1 //行有效
`define W_TRCD 4'd2 //行有效等待
`define W_READ 4'd3 //读操作
`define W_CL 4'd4 //潜伏期
`define W_RD 4'd5 //读数据
`define W_WRITE 4'd6 //写操作
`define W_WD 4'd7 //写数据
`define W_TWR 4'd8 //写回
`define W_PRE 4'd9 //预充电
`define W_TRP 4'd10 //预充电等待
`define W_AR 4'd11 //自动刷新
`define W_TRFC 4'd12 //自动刷新等待//延时参数
`define end_trp cnt_clk == TRP_CLK //预充电有效周期结束
`define end_trfc cnt_clk == TRC_CLK //自动刷新周期结束
`define end_trsc cnt_clk == TRSC_CLK //模式寄存器设置时钟周期结束
`define end_trcd cnt_clk == TRCD_CLK-1 //行选通周期结束
`define end_tcl cnt_clk == TCL_CLK-1 //潜伏期结束
`define end_rdburst cnt_clk == sdram_rd_burst-3 //读突发终止
`define end_tread cnt_clk == sdram_rd_burst+2 //突发读结束
`define end_wrburst cnt_clk == sdram_wr_burst-1 //写突发终止
`define end_twrite cnt_clk == sdram_wr_burst-1 //突发写结束
`define end_twr cnt_clk == TWR_CLK //写回周期结束//SDRAM控制信号命令
`define CMD_INIT 5'b01111 // INITIATE
`define CMD_NOP 5'b10111 // NOP COMMAND
`define CMD_ACTIVE 5'b10011 // ACTIVE COMMAND
`define CMD_READ 5'b10101 // READ COMMADN
`define CMD_WRITE 5'b10100 // WRITE COMMAND
`define CMD_B_STOP 5'b10110 // BURST STOP
`define CMD_PRGE 5'b10010 // PRECHARGE
`define CMD_A_REF 5'b10001 // AOTO REFRESH
`define CMD_LMR 5'b10000 // LODE MODE REGISTER- 初始化状态：
定义了 SDRAM 初始化过程中的各个状态，如空闲、预充电、自动刷新、模式寄存器设置等。 - 工作状态：
定义了 SDRAM 工作过程中的各个状态，如空闲、行有效、读操作、写操作、预充电等。 - 延时参数：
定义了不同状态下的延时条件，确保 SDRAM 操作符合时序要求。 - 命令定义：
包含了 SDRAM 的各种命令信号，如空操作、激活、读、写、突发停止、预充电、自动刷新、模式寄存器加载等。
3.3.3.2. sdram_ctrl 状态控制模块分析
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// File name: sdram_ctrl
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM 状态控制模块
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// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module sdram_ctrl(input clk, //时钟input rst_n, //复位信号，低电平有效input sdram_wr_req, //写SDRAM请求信号input sdram_rd_req, //读SDRAM请求信号output sdram_wr_ack, //写SDRAM响应信号output sdram_rd_ack, //读SDRAM响应信号input [9:0] sdram_wr_burst, //突发写SDRAM字节数（1-512个）input [9:0] sdram_rd_burst, //突发读SDRAM字节数（1-256个） output sdram_init_done, //SDRAM系统初始化完毕信号output reg [4:0] init_state, //SDRAM初始化状态output reg [3:0] work_state, //SDRAM工作状态output reg [9:0] cnt_clk, //时钟计数器output reg sdram_rd_wr //SDRAM读/写控制信号，低电平为写，高电平为读);`include "sdram_para.v" //包含SDRAM参数定义模块//parameter define 时钟个数，以100Mhz（10ns）为准
parameter TRP_CLK = 10'd4; //预充电有效周期，至少15ns，
parameter TRC_CLK = 10'd6; //自动刷新周期，至少60ns，
parameter TRSC_CLK = 10'd6; //模式寄存器设置时钟周期，2个TCK周期
parameter TRCD_CLK = 10'd2; //行选通周期，至少15ns，
parameter TCL_CLK = 10'd3; //列潜伏期(cl)，3个TCK周期
parameter TWR_CLK = 10'd2; //写入校正，2个TCK周期
parameter CNT_200US = 15'd20_000; //200us计数个数
parameter CNT_REFRESH = 11'd781; //自动刷新计数器//reg define
reg [14:0] cnt_200us; //SDRAM 上电稳定期200us计数器
reg [10:0] cnt_refresh; //刷新计数寄存器
reg sdram_ref_req; //SDRAM 自动刷新请求信号
reg cnt_rst_n; //延时计数器复位信号，低有效
reg [ 3:0] init_ar_cnt; //初始化过程自动刷新计数器//wire define
wire done_200us; //上电后200us输入稳定期结束标志位
wire sdram_ref_ack; //SDRAM自动刷新请求应答信号 //*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //SDRAM上电后200us稳定期结束后,将标志信号拉高
assign done_200us = (cnt_200us == CNT_200US);//SDRAM初始化完成标志
assign sdram_init_done = (init_state == `I_DONE);//SDRAM 自动刷新应答信号
assign sdram_ref_ack = (work_state == `W_AR);//写SDRAM响应信号
assign sdram_wr_ack = ((work_state == `W_TRCD) & ~sdram_rd_wr) | ( work_state == `W_WRITE)|((work_state == `W_WD) & (cnt_clk < sdram_wr_burst - 2'd2));//读SDRAM响应信号
assign sdram_rd_ack = (work_state == `W_RD) & (cnt_clk >= 10'd1) & (cnt_clk < sdram_rd_burst + 2'd1);//上电后计时200us,等待SDRAM状态稳定
always @ (posedge clk or negedge rst_n) beginif(!rst_n) cnt_200us <= 15'd0;else if(cnt_200us < CNT_200US) cnt_200us <= cnt_200us + 1'b1;elsecnt_200us <= cnt_200us;
end//刷新计数器循环计数7812ns (60ms内完成全部8192行刷新操作)
always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) cnt_refresh <= 11'd0;else if(cnt_refresh < CNT_REFRESH) // 64ms/8192 =7812nscnt_refresh <= cnt_refresh + 1'b1; else cnt_refresh <= 11'd0; //SDRAM 刷新请求
always @ (posedge clk or negedge rst_n)if(!rst_n) sdram_ref_req <= 1'b0;else if(cnt_refresh == CNT_REFRESH - 1) sdram_ref_req <= 1'b1; //刷新计数器计时达7812ns时产生刷新请求else if(sdram_ref_ack) sdram_ref_req <= 1'b0; //收到刷新请求响应信号后取消刷新请求 //延时计数器对时钟计数
always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) cnt_clk <= 10'd0;else if(!cnt_rst_n) //在cnt_rst_n为低电平时延时计数器清零cnt_clk <= 10'd0;else cnt_clk <= cnt_clk + 1'b1;//初始化过程中对自动刷新操作计数
always @ (posedge clk or negedge rst_n) if(!rst_n) init_ar_cnt <= 4'd0;else if(init_state == `I_NOP) init_ar_cnt <= 4'd0;else if(init_state == `I_AR)init_ar_cnt <= init_ar_cnt + 1'b1;elseinit_ar_cnt <= init_ar_cnt;//SDRAM的初始化状态机
always @ (posedge clk or negedge rst_n) beginif(!rst_n) init_state <= `I_NOP;else case (init_state)//上电复位后200us结束则进入下一状态`I_NOP: init_state <= done_200us ? `I_PRE : `I_NOP;//预充电状态`I_PRE: init_state <= `I_TRP;//预充电等待，TRP_CLK个时钟周期`I_TRP: init_state <= (`end_trp) ? `I_AR : `I_TRP;//自动刷新`I_AR : init_state <= `I_TRF; //等待自动刷新结束,TRC_CLK个时钟周期`I_TRF: init_state <= (`end_trfc) ? //连续8次自动刷新操作((init_ar_cnt == 4'd8) ? `I_MRS : `I_AR) : `I_TRF;//模式寄存器设置`I_MRS: init_state <= `I_TRSC; //等待模式寄存器设置完成，TRSC_CLK个时钟周期`I_TRSC: init_state <= (`end_trsc) ? `I_DONE : `I_TRSC;//SDRAM的初始化设置完成标志`I_DONE: init_state <= `I_DONE;default: init_state <= `I_NOP;endcase
end//SDRAM的工作状态机,工作包括读、写以及自动刷新操作
always @ (posedge clk or negedge rst_n) beginif(!rst_n) work_state <= `W_IDLE; //空闲状态elsecase(work_state)//定时自动刷新请求，跳转到自动刷新状态`W_IDLE: if(sdram_ref_req & sdram_init_done) beginwork_state <= `W_AR; sdram_rd_wr <= 1'b1;end //写SDRAM请求，跳转到行有效状态else if(sdram_wr_req & sdram_init_done) beginwork_state <= `W_ACTIVE;sdram_rd_wr <= 1'b0; end //读SDRAM请求，跳转到行有效状态else if(sdram_rd_req && sdram_init_done) beginwork_state <= `W_ACTIVE;sdram_rd_wr <= 1'b1; end //无操作请求，保持空闲状态else begin work_state <= `W_IDLE;sdram_rd_wr <= 1'b1;end`W_ACTIVE: //行有效，跳转到行有效等待状态work_state <= `W_TRCD;`W_TRCD: if(`end_trcd) //行有效等待结束，判断当前是读还是写if(sdram_rd_wr)//读：进入读操作状态work_state <= `W_READ;else //写：进入写操作状态work_state <= `W_WRITE;else work_state <= `W_TRCD;`W_READ: //读操作，跳转到潜伏期work_state <= `W_CL; `W_CL: //潜伏期：等待潜伏期结束，跳转到读数据状态work_state <= (`end_tcl) ? `W_RD:`W_CL; `W_RD: //读数据：等待读数据结束，跳转到预充电状态work_state <= (`end_tread) ? `W_PRE:`W_RD;`W_WRITE: //写操作：跳转到写数据状态work_state <= `W_WD;`W_WD: //写数据：等待写数据结束，跳转到写回周期状态work_state <= (`end_twrite) ? `W_TWR:`W_WD; `W_TWR: //写回周期：写回周期结束，跳转到预充电状态work_state <= (`end_twr) ? `W_PRE:`W_TWR;`W_PRE: //预充电：跳转到预充电等待状态work_state <= `W_TRP;`W_TRP: //预充电等待：预充电等待结束，进入空闲状态work_state <= (`end_trp) ? `W_IDLE:`W_TRP;`W_AR: //自动刷新操作，跳转到自动刷新等待work_state <= `W_TRFC; `W_TRFC: //自动刷新等待：自动刷新等待结束，进入空闲状态work_state <= (`end_trfc) ? `W_IDLE:`W_TRFC;default: work_state <= `W_IDLE;endcase
end//计数器控制逻辑
always @ (*) begincase (init_state)`I_NOP: cnt_rst_n <= 1'b0; //延时计数器清零(cnt_rst_n低电平复位)`I_PRE: cnt_rst_n <= 1'b1; //预充电：延时计数器启动(cnt_rst_n高电平启动)//等待预充电延时计数结束后，清零计数器`I_TRP: cnt_rst_n <= (`end_trp) ? 1'b0 : 1'b1;//自动刷新：延时计数器启动`I_AR:cnt_rst_n <= 1'b1;//等待自动刷新延时计数结束后，清零计数器`I_TRF:cnt_rst_n <= (`end_trfc) ? 1'b0 : 1'b1; `I_MRS: cnt_rst_n <= 1'b1; //模式寄存器设置：延时计数器启动//等待模式寄存器设置延时计数结束后，清零计数器`I_TRSC: cnt_rst_n <= (`end_trsc) ? 1'b0:1'b1;`I_DONE: begin //初始化完成后,判断工作状态case (work_state)`W_IDLE: cnt_rst_n <= 1'b0;//行有效：延时计数器启动`W_ACTIVE: cnt_rst_n <= 1'b1;//行有效延时计数结束后，清零计数器`W_TRCD: cnt_rst_n <= (`end_trcd) ? 1'b0 : 1'b1;//潜伏期延时计数结束后，清零计数器`W_CL: cnt_rst_n <= (`end_tcl) ? 1'b0 : 1'b1;//读数据延时计数结束后，清零计数器`W_RD: cnt_rst_n <= (`end_tread) ? 1'b0 : 1'b1;//写数据延时计数结束后，清零计数器`W_WD: cnt_rst_n <= (`end_twrite) ? 1'b0 : 1'b1;//写回周期延时计数结束后，清零计数器`W_TWR: cnt_rst_n <= (`end_twr) ? 1'b0 : 1'b1;//预充电等待延时计数结束后，清零计数器`W_TRP: cnt_rst_n <= (`end_trp) ? 1'b0 : 1'b1;//自动刷新等待延时计数结束后，清零计数器`W_TRFC: cnt_rst_n <= (`end_trfc) ? 1'b0 : 1'b1;default: cnt_rst_n <= 1'b0;endcaseenddefault: cnt_rst_n <= 1'b0;endcase
endendmodule
SDRAM_Ctrl 模块是SDRAM_Controller模块的核心之一，负责对SDRAM的读写请求进行控制和状态管理。
1. 初始化状态机 (init_state)
初始化状态机用于控制 SDRAM 的初始化过程，在上电后200微秒稳定期结束后，执行预充电、自动刷新、模式寄存器设置等操作，最后进入工作状态。
- 状态
I_NOP：这是默认状态，等待上电后的200微秒计时器完成 (done_200us) 后，进入I_PRE状态。 - 状态
I_PRE：执行预充电操作后，进入I_TRP状态等待预充电完成。 - 状态
I_TRP：等待预充电周期 (TRP_CLK) 结束，当预充电结束后，进入I_AR状态，开始自动刷新操作。 - 状态
I_AR：执行自动刷新操作，并在完成刷新后检查是否已进行8次刷新（初始化要求）。如果满足条件，进入I_MRS状态设置模式寄存器。 - 状态
I_MRS：设置 SDRAM 的模式寄存器，定义工作模式，然后进入I_TRSC状态等待模式寄存器设置完成。 - 状态
I_TRSC：等待模式寄存器设置完成 (TRSC_CLK)，完成后进入I_DONE状态，标志初始化结束。 - 状态
I_DONE：表示 SDRAM 初始化完成，SDRAM 进入工作状态，系统可以进行读写操作。
2. 工作状态机 (work_state)
工作状态机负责控制 SDRAM 的读写和自动刷新操作。它根据外部请求和当前状态，管理工作流程。
-
状态
W_IDLE：这是空闲状态。当检测到自动刷新请求、写请求或读请求时，工作状态机会相应跳转：- 若收到
sdram_ref_req刷新请求，跳转到W_AR状态执行自动刷新操作。 - 若收到写请求 (
sdram_wr_req)，跳转到W_ACTIVE状态，并设置sdram_rd_wr为低电平（写操作）。 - 若收到读请求 (
sdram_rd_req)，同样跳转到W_ACTIVE状态，但设置sdram_rd_wr为高电平（读操作）。
- 若收到
-
状态
W_ACTIVE：行有效状态，进入行选通等待状态W_TRCD。 -
状态
W_TRCD：行选通等待状态，根据sdram_rd_wr信号，决定跳转到读操作状态 (W_READ) 或写操作状态 (W_WRITE)。 -
读操作流程：
W_READ：进入潜伏期状态W_CL。W_CL：等待潜伏期结束后进入读数据状态W_RD。W_RD：读取数据，完成后进入预充电状态W_PRE。
-
写操作流程：
W_WRITE：进入写数据状态W_WD。W_WD：写入数据，完成后进入写回周期W_TWR。W_TWR：完成写回周期后，进入预充电状态W_PRE。
-
自动刷新操作：
W_AR：执行自动刷新，等待W_TRFC状态完成刷新，最后返回空闲状态W_IDLE。
3. 计数器控制逻辑
计数器用于控制不同操作中的延迟和时序管理，根据状态机的不同状态执行计数。
-
cnt_200us：上电后的200微秒稳定期计时器。当cnt_200us计数到CNT_200US，done_200us置高，表示200微秒结束，可以进入下一状态。 -
cnt_refresh：刷新计时器，每 64ms 完成 8192 行的刷新操作（计时器为7812ns）。当cnt_refresh达到CNT_REFRESH时，产生自动刷新请求sdram_ref_req。 -
cnt_clk：用于计数不同状态下的延时。在不同状态如预充电 (W_PRE)、行选通等待 (W_TRCD)、潜伏期 (W_CL)、读数据 (W_RD)、写数据 (W_WD) 等，会通过cnt_rst_n控制计数器复位或启动。例如，在
I_PRE状态下，计数器启动计数预充电时钟周期 (TRP_CLK)，等待end_trp信号结束后，计数器复位并进入下一状态。
3.3.3.3. sdram_cmd 命令控制模块分析
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// File name: sdram_cmd
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM 命令控制模块
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// Created by: 正点原子
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// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module sdram_cmd(input clk, //系统时钟input rst_n, //低电平复位信号input [23:0] sys_wraddr, //写SDRAM时地址input [23:0] sys_rdaddr, //读SDRAM时地址input [ 9:0] sdram_wr_burst, //突发写SDRAM字节数input [ 9:0] sdram_rd_burst, //突发读SDRAM字节数input [ 4:0] init_state, //SDRAM初始化状态input [ 3:0] work_state, //SDRAM工作状态input [ 9:0] cnt_clk, //延时计数器 input sdram_rd_wr, //SDRAM读/写控制信号，低电平为写output sdram_cke, //SDRAM时钟有效信号output sdram_cs_n, //SDRAM片选信号output sdram_ras_n, //SDRAM行地址选通脉冲output sdram_cas_n, //SDRAM列地址选通脉冲output sdram_we_n, //SDRAM写允许位output reg [ 1:0] sdram_ba, //SDRAM的L-Bank地址线output reg [12:0] sdram_addr //SDRAM地址总线
);`include "sdram_para.v" //包含SDRAM参数定义模块//parameter define
parameter BURST_LENGTH = 3'b111; //突发长度，这里设置为页突发
parameter ADDRESSING_MODE = 1'b0; //突发传输方式，这里设置为顺序
parameter CAS_LATENCY = 3'b011; //CAS潜伏期(CL)设置，这里设置为3，
parameter WRITE_MODE = 1'b0; //读写方式 A9=0，突发读&突发写//reg define
reg [ 4:0] sdram_cmd_r; //SDRAM操作指令//wire define
wire [23:0] sys_addr; //SDRAM读写地址 //*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //SDRAM 控制信号线赋值
assign {sdram_cke,sdram_cs_n,sdram_ras_n,sdram_cas_n,sdram_we_n} = sdram_cmd_r;//SDRAM 读/写地址总线控制
assign sys_addr = sdram_rd_wr ? sys_rdaddr : sys_wraddr;//SDRAM 操作指令控制
always @ (posedge clk or negedge rst_n) beginif(!rst_n) beginsdram_cmd_r <= `CMD_INIT;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;endelsecase(init_state)//初始化过程中,以下状态不执行任何指令`I_NOP,`I_TRP,`I_TRF,`I_TRSC: beginsdram_cmd_r <= `CMD_NOP;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff; end`I_PRE: begin //预充电指令sdram_cmd_r <= `CMD_PRGE;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;end `I_AR: begin//自动刷新指令sdram_cmd_r <= `CMD_A_REF;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff; end `I_MRS: begin //模式寄存器设置指令sdram_cmd_r <= `CMD_LMR;sdram_ba <= 2'b00;sdram_addr <= { //利用地址线设置模式寄存器,可根据实际需要进行修改3'b000, //预留WRITE_MODE, //读写方式 A9=0，突发读&突发写2'b00, //默认，{A8,A7}=00CAS_LATENCY, //CAS潜伏期设置，这里设置为3，{A6,A5,A4}=011ADDRESSING_MODE, //突发传输方式，这里设置为顺序，A3=0BURST_LENGTH //突发长度，这里设置为页突发，};end `I_DONE: //SDRAM初始化完成case(work_state) //以下工作状态不执行任何指令`W_IDLE,`W_TRCD,`W_CL,`W_TWR,`W_TRP,`W_TRFC: beginsdram_cmd_r <= `CMD_NOP;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;end`W_ACTIVE: begin//行有效指令sdram_cmd_r <= `CMD_ACTIVE;sdram_ba <= sys_addr[23:22];sdram_addr <= sys_addr[21:9];end`W_READ: begin //读操作指令sdram_cmd_r <= `CMD_READ;sdram_ba <= sys_addr[23:22];sdram_addr <= {4'b0000,sys_addr[8:0]};end`W_RD: begin //突发传输终止指令if(`end_rdburst) sdram_cmd_r <= `CMD_B_STOP;else beginsdram_cmd_r <= `CMD_NOP;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;endend `W_WRITE: begin //写操作指令sdram_cmd_r <= `CMD_WRITE;sdram_ba <= sys_addr[23:22];sdram_addr <= {4'b0000,sys_addr[8:0]};end `W_WD: begin //突发传输终止指令if(`end_wrburst) sdram_cmd_r <= `CMD_B_STOP;else beginsdram_cmd_r <= `CMD_NOP;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;endend`W_PRE:begin //预充电指令sdram_cmd_r <= `CMD_PRGE;sdram_ba <= sys_addr[23:22];sdram_addr <= 13'h0000;end `W_AR: begin //自动刷新指令sdram_cmd_r <= `CMD_A_REF;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;enddefault: beginsdram_cmd_r <= `CMD_NOP;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;endendcasedefault: beginsdram_cmd_r <= `CMD_NOP;sdram_ba <= 2'b11;sdram_addr <= 13'h1fff;endendcase
endendmodule
这个 sdram_cmd 模块主要负责根据系统状态生成控制 SDRAM 的命令信号。通过时钟信号驱动，模块根据初始化状态 (init_state) 和工作状态 (work_state) 来决定何时发送命令，如行激活、读写、预充电等操作。下面详细分析其工作机制：
1. 接口信号
-
输入信号:
clk和rst_n: 系统时钟和复位信号，用于时序控制。sys_wraddr和sys_rdaddr: 分别为系统写地址和读地址，用于读写操作时指定SDRAM的地址。sdram_wr_burst和sdram_rd_burst: 突发写和读时的字节数，用于控制读写操作中的突发传输。init_state和work_state: 初始化和工作状态控制信号，用于决定当前 SDRAM 的操作。cnt_clk: 延时计数器，用于特定时序的延时控制。sdram_rd_wr: SDRAM的读写控制信号，低电平表示写操作，高电平表示读操作。
-
输出信号:
sdram_cke,sdram_cs_n,sdram_ras_n,sdram_cas_n,sdram_we_n: 这些信号分别用于控制SDRAM的时钟有效、片选、行地址选通、列地址选通以及写使能。sdram_ba: SDRAM的L-Bank地址信号，用于指定SDRAM的Bank选择。sdram_addr: SDRAM的地址信号总线，用于读写操作时指定SDRAM内存位置。
2. 主要逻辑部分
(1) SDRAM 命令控制
- 模块包含了五个主要命令信号 (
sdram_cke、sdram_cs_n、sdram_ras_n、sdram_cas_n、sdram_we_n)，这些信号通过sdram_cmd_r寄存器赋值控制。具体命令定义在sdram_para.v中，通过状态机切换来控制命令的发送。 - 地址控制方面，通过
sys_addr来区分读地址 (sys_rdaddr) 或写地址 (sys_wraddr)，并且在不同的工作状态下使用不同的地址传输。
(2) 状态机控制
-
初始化状态 (init_state):
- 在初始化过程中，根据不同的状态 (
I_NOP,I_TRP,I_TRF,I_TRSC,I_PRE,I_AR,I_MRS等)，模块发送不同的命令。例如：I_NOP状态下发送CMD_NOP（无操作指令）。I_PRE状态发送预充电命令CMD_PRGE。I_MRS状态发送模式寄存器设置命令CMD_LMR，并通过sdram_addr配置CAS潜伏期、突发长度等参数。
- 在初始化过程中，根据不同的状态 (
-
工作状态 (work_state):
- 初始化完成后，进入工作状态。根据不同的状态执行不同操作：
W_IDLE,W_TRCD,W_CL等空闲状态发送CMD_NOP。W_ACTIVE发送行激活命令CMD_ACTIVE，并根据地址sys_addr设置sdram_ba和sdram_addr。W_READ和W_WRITE分别发送读/写命令CMD_READ和CMD_WRITE，对应地址根据当前sys_addr分配。W_RD和W_WD状态下检查突发传输结束后发送突发终止命令CMD_B_STOP。W_PRE发送预充电命令CMD_PRGE。
- 初始化完成后，进入工作状态。根据不同的状态执行不同操作：
(3) SDRAM命令生成逻辑
每个时钟周期通过 always @ (posedge clk or negedge rst_n) 块进行更新。状态机的各个状态通过 case 语句进行区分，状态机的切换和相应操作指令的发出主要依赖 init_state 和 work_state。对于特定状态，生成相应的命令指令并设置相应的地址与控制信号。
3. 参数设置
模块中通过 parameter 设置了几个重要的 SDRAM 工作参数：
BURST_LENGTH: 页突发长度，设置为3'b111。CAS_LATENCY: CAS潜伏期设置为3。WRITE_MODE: 设置为突发读和突发写。
这些参数的设置影响了SDRAM读写操作的延迟和传输模式，可以根据应用需求进行修改。
3.3.3.4. sdram_data数据读写模块分析
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// File name: sdram_data
// Last modified Date: 2018/3/18 8:41:06
// Last Version: V1.0
// Descriptions: SDRAM 数据读写模块
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// Created by: 正点原子
// Created date: 2018/3/18 8:41:06
// Version: V1.0
// Descriptions: The original version
//
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//****************************************************************************************//module sdram_data(input clk, //系统时钟input rst_n, //低电平复位信号input [15:0] sdram_data_in, //写入SDRAM中的数据output [15:0] sdram_data_out, //从SDRAM中读取的数据input [ 3:0] work_state, //SDRAM工作状态寄存器input [ 9:0] cnt_clk, //时钟计数inout [15:0] sdram_data //SDRAM数据总线);`include "sdram_para.v" //包含SDRAM参数定义模块//reg define
reg sdram_out_en; //SDRAM数据总线输出使能
reg [15:0] sdram_din_r; //寄存写入SDRAM中的数据
reg [15:0] sdram_dout_r; //寄存从SDRAM中读取的数据//*****************************************************
//** main code
//***************************************************** //SDRAM 双向数据线作为输入时保持高阻态
assign sdram_data = sdram_out_en ? sdram_din_r : 16'hzzzz;//输出SDRAM中读取的数据
assign sdram_data_out = sdram_dout_r;//SDRAM 数据总线输出使能
always @ (posedge clk or negedge rst_n) begin if(!rst_n) sdram_out_en <= 1'b0;else if((work_state == `W_WRITE) | (work_state == `W_WD)) sdram_out_en <= 1'b1; //向SDRAM中写数据时,输出使能拉高else sdram_out_en <= 1'b0;
end//将待写入数据送到SDRAM数据总线上
always @ (posedge clk or negedge rst_n) beginif(!rst_n) sdram_din_r <= 16'd0;else if((work_state == `W_WRITE) | (work_state == `W_WD))sdram_din_r <= sdram_data_in; //寄存写入SDRAM中的数据
end//读数据时,寄存SDRAM数据线上的数据
always @ (posedge clk or negedge rst_n) beginif(!rst_n) sdram_dout_r <= 16'd0;else if(work_state == `W_RD) sdram_dout_r <= sdram_data; //寄存从SDRAM中读取的数据
endendmodule
- 功能：处理 SDRAM 数据线上的双向数据传输。
- 主要信号：
- 输入：
sdram_data_in：需要写入 SDRAM 的数据。work_state：当前的工作状态。cnt_clk：时钟计数器，用于同步操作。
- 输出：
sdram_data_out：从 SDRAM 中读取的数据。sdram_data：SDRAM 数据总线（inout）。
- 输入：
- 数据总线控制：
- 当处于写操作或写数据状态时，
sdram_out_en使能数据输出，sdram_data总线作为输出；在其他状态下，保持高阻态。 - 从
work_state中判断当前是读操作或写操作，分别将数据写入或从 SDRAM 中读取。
- 当处于写操作或写数据状态时，
4. 疑问与总结
其实这里在读代码的过程中我发现了关于地址线的一些问题，问题如下图中红字所述，在sdram_rw_test.v文件我们可以看到最大地址和数据传递关系：
在sdram_cmd.v文件中
以上是我的疑惑，请求大佬帮忙解答！
本篇博客详细分析了SDRAM代码中各个模块的作用和功能，包括命令控制模块、数据控制模块以及时序控制机制。通过这些模块的协同工作，实现了SDRAM的初始化、读写操作。
声明：本博客笔记中的SDRAM代码来自正点原子，整理用于自己学习与经验交流。
