RF/射频器件: CMD246C4 CMD235C4 CMD236C4 CMD254C3 CMD299K4 CMD262 一款5 W GaN MMIC功率放大器芯片

news/2025/3/16 0:05:49/文章来源:https://www.cnblogs.com/mingjiada/p/18504289

CMD246C4是一款宽带GaAs MMIC低相位噪声放大器,采用无引脚表贴封装,非常适合军事、航天和通信系统。16 GHz时,该器件提供17 dB的增益,饱和输出功率为+18 dBm,噪声系数为5 dB。此外,对于10 GHz的输入信号,该放大器在10 kHz失调下具有-165 dBc/Hz的低相位噪声性能。

CMD235C4 是一款宽带MMIC SP5T开关,采用无引脚4x4 mm表贴封装。CMD235C4覆盖DC至18 GHz,在10 GHz时具有2.5 dB的低插入损耗和44 dB的高隔离度。

CMD236C4是一款宽带MMIC SP6T开关,采用无引脚4x4 mm表贴封装。CMD236C4覆盖DC至18 GHz,在10 GHz时具有2.5 dB的低插入损耗和42 dB的高隔离度。

CMD254C3是一款高IP3双平衡混频器,采用无引脚表贴封装,可用于11 GHz至20 GHz的上变频和下变频应用。由于采用了优化的巴伦结构,CMD254C3对RF和IF端口都具有非常高的隔离性能,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD299K4是一款高效GaAs MMIC低噪声放大器,采用无引脚表面贴装封装。该放大器非常适合需要小尺寸和低功耗的电子战和通信系统。

CMD262是一款5 W GaN MMIC功率放大器芯片,非常适合需要高功率和高线性度的Ka波段通信系统。该器件提供24 dB以上的增益,对应的1 dB输出压缩点为+37 dBm,饱和输出功率为+38 dBm,功率附加效率为29%。

产品选型

CMD246C4- 8-22 GHz 低相位噪声放大器
CMD235C4- DC-18 GHz SP5T 非反射开关
CMD236C4- DC-18 GHz SP6T 非反射开关
CMD254C3- 11-21 GHz 高IP3基波混频器
CMD299K4- 18-40 GHz 低噪声放大器
CMD262- 26-28 GHz GaN 功率放大器
——明佳达

器件规格

CMD246C4的规格:
频率:8GHz ~ 22GHz
P1dB:17dBm
增益:21dB
噪声系数:6dB
射频类型:通用
电压 - 供电:3V ~ 7V
电流 - 供电:48mA
测试频率:8GHz ~ 16GHz
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:24-SMT(3.9x3.9)

CMD235C4的规格:
开关配置:SP5T
最小频率:0 Hz
最大频率:18 GHz
介入损耗:3.3 dB
关闭隔离—典型值:35 dB
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
安装风格:SMD/SMT
技术:Si
系列:CMD235
封装:Reel
封装:Cut Tape
产品类型:RF Switch ICs

CMD236C4的规格:
拓扑:吸收
电路:SP6T
频率范围:0Hz ~ 18GHz
隔离:35dB
插损:3.5dB
测试频率:18GHz
P1dB:-
IIP3:34dBm
特性:-
阻抗:50 欧姆
电压 - 供电:-
工作温度:-40°C ~ 85°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:24-SMT(3.9x3.9)

CMD254C3的规格:
射频:11 GHz to 21 GHz
转换损失——最大:10 dB
NF—噪声系数:-
LO频率:11 GHz to 21 GHz
中频:DC to 6 GHz
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-12
封装:Reel
封装:Cut Tape
产品类型:RF Mixer
系列:CMD254

CMD299K4的规格:
频率:18GHz ~ 40GHz
P1dB:6.5dBm
增益:14dB
噪声系数:3.7dB
射频类型:通用
电压 - 供电:1.5V ~ 3.3V
电流 - 供电:33mA
测试频率:30GHz ~ 40GHz
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:24-TFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装:24-SMT(4x4)

CMD262的规格:
频率:26GHz ~ 28GHz
P1dB:37dBm
增益:24dB
噪声系数:-
射频类型:通用
电压 - 供电:20V ~ 30V
电流 - 供电:350mA
测试频率:26GHz ~ 28GHz
安装类型:表面贴装型

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