霍尔讲解
霍尔传感器的工作原理和特性 霍尔传感器电路图分享-电子发烧友网
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RenderDoc在Texture View中使用自定义的Shader
简单介绍一下如何在RenderDoc中使用Channels设定为Custom后的Shader；
官方文档：How do I use a custom visualisation shader?在Texture View中设置Channels为Custom；
输入新创建的Shader名称及后缀；点击绿色加号创建Custom Shader，创建的hlsl保存会在C:\Users\PC\AppDat…
ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06
ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06编辑：ll
ASE50N06-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE50N06
型号：ASE50N06
品牌：ASEMI
封装：TO-252
批号：最新
最大漏源电流：50A
漏源击穿电压：60V
RDS（ON）Max：15mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流：…
【算法基础】图的存储与遍历
一、图的存储
在我们存储图的时候，主要使用邻接矩阵、邻接表两种方式来存储。通常邻接矩阵存储稠密图（边多），临界矩阵存储稀疏图（边少）。1.1 邻接矩阵存储
邻接矩阵听起来比较高大上，其实就是用二维数组来表示 \(a\) 点与 \(b\) 点之间有一条边。例如在上述无向图中 \(1…
解决Pandas的to_excel()写入不同Sheet，而不会被重写
一、问题描述
在使用Pandas的to_excel()方法写入数据时，当我们想将多个数据写入一个Excel表的不同DataFrame中，虽然能够指定sheet_name参数，但是会重写整个Excel之后才会存储。
现在有3个sheet，内容如下：>>> import pandas as pd
>>> df1 = pd.read_exc…
基于Transformer的生成式人工智能模型的训练和推理以及成员推断攻击的实现
Transformer_AI
2024年11月15日更新
在此教程中，我们将对基于Transformer的生成式人工智能模型及其原理进行一个简单的介绍，并实现其训练和推理过程，且至少支持3种数据集，目前支持数据集有：MNIST、fashionMNIST、CIFAR10等，并给用户提供一个详细的帮助文档。
目录
基本介…
协作文档的核心逻辑：秩序性如何赋能团队？
协作文档：秩序性的数字化创新
在当今高速发展的信息化社会中，协作文档已经成为团队合作和企业运作的重要工具。协作文档不仅提供了便捷的协作环境，更为高效的任务管理和知识共享带来了全新的可能。然而，真正出色的协作文档不只是一个工具，它更是一种体现秩序性的管理理念。…
macOS Sonoma 14.7.2 (23H311) 正式版 ISO、IPSW、PKG 下载
macOS Sonoma 14.7.2 (23H311) 正式版 ISO、IPSW、PKG 下载macOS Sonoma 14.7.2 (23H311) 正式版 ISO、IPSW、PKG 下载
利用小组件进行个性化设置、令人眼前一亮的全新屏幕保护、Safari 浏览器和视频会议的重大更新
请访问原文链接：https://sysin.org/blog/macOS-Sonoma/ 查看…
前端性能优化实战：从加载到渲染的全链路提速
"网站太慢了，用户都在抱怨！"上周，我接手了一个正在运行的电商项目，首屏加载时间竟然长达 8 秒。作为一个对性能有执念的前端开发者，这个数字让我夜不能寐。经过一周的优化，我们把首屏时间压缩到了 2 秒以内。今天，我想和大家分享这个过程中的实战经验。😊
性…
转载：【AI系统】算子手工优化
在上一篇中，探讨了算子计算和调度的概念，并强调了高效调度策略在释放硬件性能和降低延迟方面的重要性。本文，我们将深入讨论手写算子调度时需要考虑的关键因素，并介绍一些著名的高性能算子库。
计算分析
在优化算子前，首先需要知道当前程序的瓶颈在哪里，是计算瓶颈还是访…
强化学习模型的训练和推理以及成员推断攻击的实现
Reinforcement_learning
2024年9月1日更新
在此教程中，我们将对强化学习模型及其原理进行一个简单的介绍，并实现一种强化学习模型的训练和推理过程，且至少支持3种数据集，目前支持数据集有：MNIST、fashionMNIST、CIFAR10等，并给用户提供一个详细的帮助文档。
目录
基本介绍…
ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S
ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S编辑：ll
ASE8N65S-ASEMI高压N沟道MOS管ASE8N65S
型号：ASE8N65S
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
最大漏源电流：8A
漏源击穿电压：650V
批号：最新
RDS（ON）Max：1.25Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：…