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ASE50N30-ASEMI智能家居专用ASE50N30
型号：ASE50N30
品牌：ASEMI
封装：TO-247
批号：最新
最大漏源电流：50A
漏源击穿电压：300V
RDS（ON）Max：68mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
一、硬核参数：重新定义高功率MOS管标准
作为N沟道增强型MOSFET，50N30专为极端工况下的稳定运行而设计，核心性能全面升级：
超高电流能力：连续漏极电流（ID）50A，脉冲电流可达200A，轻松应对电机启动、电源浪涌等瞬时过载；
耐压与可靠性：漏源电压（VDS）30V，结合先进雪崩耐量设计，保障工业级设备在电压波动下的安全运行；
能效革命性突破：导通电阻（RDS(on)）低至<6mΩ（@VGS=10V），较同类产品降低20%以上，显著减少热损耗，提升系统整体效率。
二、五大核心技术，解锁极致性能
沟槽工艺升级：更低阻抗，更高电流
采用第四代沟槽栅极技术，优化载流子迁移路径，在同等封装尺寸下实现50A电流承载，为高密度电源设计提供可能。
智能热管理：封装与散热的双重革新
TO-247 Plus或D2PAK封装搭配铜夹键合技术，热阻（RθJA）降低至0.5℃/W，支持无散热片下的长时间满载运行，适用于空间受限的便携设备。
超快动态响应：MHz级开关频率
栅极电荷（Qg）仅80nC，反向恢复时间（trr）＜100ns，完美适配高频LLC谐振拓扑、无线充电等前沿应用，减少开关损耗高达30%。
工业级鲁棒性：无惧极端环境挑战
通过AEC-Q101车规认证及100% UIS（雪崩能量）测试，工作温度范围覆盖-55℃~175℃，适用于户外能源设备、车载电子等恶劣环境。
环保与寿命保障：符合绿色能源趋势
支持无铅焊接与RoHS标准，MTBF（平均无故障时间）超10万小时，契合碳中和背景下的可持续设计需求。
三、全场景覆盖：从工业到消费电子的性能引擎
工业自动化：伺服驱动器、PLC控制模块的功率开关核心；
新能源系统：光伏MPPT控制器、储能PCS逆变器的关键组件；
电动交通：电动两轮车、AGV小车电机控制的理想选择；
智能家居：超薄TV电源、高端家电变频电路的“隐形心脏”；
数据中心：48V服务器电源、GPU供电模组的高效解决方案；
快充革命：100W+氮化镓快充的同步整流MOS管升级之选。
四、设计实战指南：释放50N30的极限潜力
驱动优化：推荐栅极驱动电压10-15V，搭配低阻抗驱动电路以降低开关振铃；
热设计策略：多并联应用时采用对称布局+均流设计，避免局部过热；
EMI抑制：在漏极串联RC吸收电路，平衡高频应用下的电磁干扰；
成本与性能平衡：利用其低RDS(on)特性，可减少并联器件数量，降低BOM成本。
