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ASE13N45-ASEMI照明驱动专用ASE13N45
型号：ASE13N45
品牌：ASEMI
封装：TO-220F
最大漏源电流：13A
漏源击穿电压：450V
批号：最新
RDS（ON）Max：0.45Ω
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
封装尺寸：如图
特性：MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
ASE13N45 MOS管是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，专为高电压、大电流场景设计。其关键参数包括：
漏源电压（VDS）：450V，适用于高压电路环境。
连续漏极电流（ID）：13A，满足大功率负载需求。
导通电阻（RDS(ON)）：450mΩ（VGS=10V），有效降低导通损耗，提升效率。
阈值电压（Vth）：3.5V，兼容主流驱动芯片，简化电路设计。
得益于超结多外延技术，ASE13N45在高压下仍保持低损耗，同时具备优异的热稳定性和抗冲击能力。
工业电源与逆变器
在AC-DC电源模块和逆变器中，ASE13N45的高耐压特性可稳定处理交流整流后的高压直流信号，适用于光伏逆变器和UPS系统。
电动车电机驱动
作为电机控制器中的功率开关元件，ASE13N45的低导通电阻显著降低发热，延长电动车续航里程。
LED照明驱动
结合PWM调光电路，ASE13N45可精准控制大功率LED灯组的亮度与电流，提升整体能效。
防反接与预充保护电路
通过搭配PMOS或继电器，ASE13N45可设计为防电源反接模块或容性负载缓启动电路，保护后端设备安全。
