Sentaurus TCAD是用于模拟半导体器件和工艺的工具之一，可以帮助工程师设计电路元件，优化半导体工艺和器件性能。主要功能包括：半导体器件建模（用于建立各种半导体器件的物理模型工艺模拟）、半导体器件的制造工艺模拟（以了解工艺参数如何影响器件性能）、电子结构计算、 电热仿真、光学模拟、耦合分析等。
TCAD半导体器件建模仿真分析与应用
2023年12月22日-12月24日
(一) 软件操作系统教学：
TCAD
软件入门 TCAD软件基本操作：
软件的安装与配置
半导体器件建模概述
基于SDE的结构建模原理
高效的网格划分

结构建模 二维MOSFET的建模与SWB基本原理及操作：
SDE图形化命令，Scheme语法，结构搭建，布尔运算等
掺杂，接触定义以及网格划分
工程化计算——在SWB中操作SDE工具
SWB输出文件类别和常见问题
数值求解 半导体器件数值求解：
器件仿真中的物理模型（简述）
MOSFET静态特性求解/瞬态特性求解
隧穿模型以及NLM计算隧穿电流
碰撞电离与击穿特性仿真
基于spice模型的简单电路仿真

SVISUAL对数据的处理：

数据的可视化与导出
阈值电压，SS，开关比等参数的提取
电场、电势等其他量的可视化及参数提取

材料设置：
模型参数修改与新材料建模
二维材料,如MoS2等新型材料
网格设置：
精确仿真电磁场所需的网格划分标准
网格的优化
Math设置以及求解过程优化

工艺仿真 工艺仿真原理
工艺仿真基础操作
工艺仿真中的网格设置
版图绘制基础
Sprocess结构生成（沉积、刻蚀等）
(二) 案列应用实操教学：
案例一 PN结的数值计算
案例二 传统硅基MOSFET的建模和求解
案例三 MoS2 FET 建模和求解
2D材料fet仿真建模

案例四 Ga2O3 FET 建模和求解
案例五 隧穿晶体管的建模
案例六 利用课程案例实现反相器，环振的搭建与构造
案例七 基础的工艺仿真步骤操作

详细内容