在前文《深入了解一下SSD的相关内容》一文中我们介绍了SSD硬盘的内部结构和存储颗粒的读写特性。本文我们将进一步深入存储颗粒，介绍其中内部的更多细节以及与此相关的一些术语。

我们继续深入到SSD的内部，SSD闪存颗粒分为NAND和NOR等不同的种类，目前SSD硬盘以NAND为主。NAND闪存的名称来源于其内部使用的逻辑门的类型，NAND闪存的特性是擦鞋速度块、存储密度高和成本低。得益于上述特性，NAND闪存颗粒得到了非常广泛的应用。

我们先来看看NAND闪存的实现原理。NAND闪存最基础的单元是浮栅晶体管，而NAND闪存存储数据的原理是海量的浮栅晶体管构成的矩阵，具体如下所示。我们可以放大其中一个浮栅晶体管，向右旋转90度后的放大图如下图右侧所示。    

可以看到浮栅晶体管由控制极、氧化层、浮栅极、源极和漏极构成。其中浮栅极可以存储电子，上下被氧化层包围，避免电子流出。对于浮栅极，如果其中没有电子，则可以表示状态“1”；存储电子后可以表示状态“0”。与机械硬盘不同，浮栅晶体管写操作只能将“1”改写成“0”，不能将“0”改为“1”。如果想将“0”改为“1”，需要采取另外一个称为“擦写”的操作。

对于上述写操作，实际上是将电子拉入浮栅极，状态就变成了“0”。对于擦写操作则是将浮栅极中的电子拉出，这就是将其状态变成了“1”。这里需要注意的是擦写操作会损伤隧道氧化层，如果隧道氧化层被完全损毁，那就失去了隔离电子的能力，这样这个晶体管就坏了。这就是为什么SSD的闪存颗粒有擦