PCB走线过程中经常出现直角拐弯，导致的阻抗不连续性使得电路性能的恶化，因为这种不连续性会引入寄生电容，从而引起相位和振幅误差、输入与输出失配以及寄生耦合，消除这些效应的方法是改变直角拐弯的构造，如下图所示，可将其改成具有一定弧度的弯头，常用的弧度半径r≥3W，或者通过削角来降低直角弯头的电容效应。斜削长度a的最佳值与特征阻抗和弯角有关，常用的值是a=1.8W。
CST软件中提供了一些走线弯曲结构的模块，可以方便地进行建模评估，从而省去了手工建模的复杂流程，本文以微带线结构为例，展示如何利用CST的相关功能进行快速的设计评估。 首先，需要创建一个新的原理图文件，并在Block Selection Tree中找到Microstrip，点击Bends，即可展开模块库，如下图所示，其中包含了直角、圆角和直角斜切模块。
鼠标左键单击选中直角模块，将其拖入到空白原理图界面中，并按照如下图所示的参数配置完成电路模型创建，这一步需要仔细配置参数和选择度量单位，否则，容易求解出错；
电路模型创建之后，在主菜单栏中，打开Simulation Project，鼠标单击下拉选项框中的All Blocks as 3D Model，并在弹出的Create New Simulation Project中进行配置，单击确认按钮；
如果上述设置完全正确，在自动创建的三维环境中，可以获取如下图所示的直角拐弯的微带线模型；
然后，需要在导航树中的Materials加载Copper(annealed)和FR-4(lossy)两种材料，并分别赋予相关的零部件对应的材料属性；
仿真频率选择0~20GHz，边界条件全部选择为Open add space，并按照下述配置完成Mesh Global Properities的调整；
最后选择时域求解器，精度调整为-50，如果有GPU，可以点击Acceleration进行加速配置，再点击Specials按钮，在弹出的Special Time Domain Solver Parameters对话框中，勾选TDR analysis，点击确认，最后点击Start按钮，具体步骤如下图所示；
模型求解完成后，会在导航树的1D Results中看到相应的结果（S parameter & TDR Signals），打开Energy的结果，可以发现，求解结果已经达到了先前设置的-50dB，并且，Port signals中的输出波也已经没有明显的振荡拖尾，说明求解过程已经收敛；
按照上述的方法，再分别创建另外两个三维模型，完成对圆角和直角斜切的求解，最终的电气参数和三维模型如下图所示，需要注意的是，直角斜切模型中的a和W的比例为1.39，圆角半径r=3W；
最终的TDR阻抗结果可以观察到，直角所造成的阻抗跌落最为明显，直角斜切有所改善，而圆角的补偿效果有些过量，从而说明，直角拐弯带来的电容负载效应是最大的，在对阻抗管控很严格的设计中确实需要避免。
在“High Speed Digital Design”一书中，提示设计者，可以进一步加大斜切深度以降低寄生电容，本例中h≈0.72W，高于书中所推荐的0.57W，可以尝试继续削减铜皮，但是，也需要同时关注加工过程中是否会产生走线断裂的风险。
圆角由于补偿过量，导致了阻抗的正增长，此时，可以尝试改变圆角的处理方式，但是，同样考虑到加工的可执行性，本例中所采用的圆弧方式依然被大多数的设计所使用。
总体而言，CST提供了可供快速设计评估的模块，并可以在此基础上进行更多的手动结构优化调节。
