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ASE10N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE10N10
型号:ASE10N10
品牌:ASEMI
封装:TO-252
最大漏源电流:10A
漏源击穿电压:100V
批号:最新
RDS(ON)Max:130mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:中低压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
ASE10N10场效应管
ASE10N10的电性参数:最大漏源电流10A;漏源击穿电压100V
特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=-10V,Id=5A
RDS(开):130mΩ (最大值)@VG=30V