【模拟电子技术】17-基本放大电路的派生电路与场效应管放大电路的分析原则
现在提出要求,要用NPN
,PNP
三极管各一个来构造放大电路,要求在大功率的时候,从输出端看都是PNP
型,复合管就可以做到这一点
可以看出第一个管子的功率肯定没第二个大,但是第一级管子决定了复合管的类型。
复合管也是用同样的方法分析
得出来电流又放大了β倍
接下来看共射—共基放大电路,为什么要把他们组合起来呢,因为我们知道共射放大电路是有良好的电流放大倍数,共基放大电路是拓宽了带宽,这样构成可以集中两者的优点
这个电路是在获得更大的Ui
的同时(输入电阻大),拓宽了带宽。用于小电压信号
上面这个电路思路应该很清晰了,VGG
是为了使得MOS管的VGS
大于开启电压,正常工作。VDD
是提供较大的VDS
工作使其在恒流区,最后加上交流电U1
开始放大。
我们要想知道MOS管放大电路的分析方法,就必须知道MOS管的“输入特性曲线”但是我们知道MOS管的门极是绝缘的,得不到电流,于是它的“输入特性曲线”称为转移特性曲线,体现的是UGS
与ID
的关系
请注意这种关系是工作在恒流区得到的,因为如果不是恒流区的话,ID
是受到UGS
与UDS
两个变量的控制。三极管的输入特性曲线是没有这种限制的,因为三极管的输入特性曲线仅仅是PN结电压电流的关系
用分析三极管同样的分析方法可以得到MOS管的等效模型
后面的思路与三极管也相似,在静态通路求出ID
,再求出Gm
做出交流通路,等效模型,分析