不同的mos管特点

不同的mos管特点不一样，简单描述如下：

平面mos： 优点：EAS雪崩等参数比较大，很耐电流冲击。缺点是：结电容等非常大，开关损耗非常大。驱动电流比较大，不好驱动。

SGT工艺mos： 优点：Qg、Ciss等参数很小，开关损耗非常小，适合高频开关，特别是电流上来之后。驱动电压低，驱动电流小，非常好驱动，对芯片驱动要求不高。 缺点：EAS雪崩等参数比较小。

沟槽mos： 则是介于平面mos管跟SGTmos之间。 由于mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗，同等内阻的情况下，SGT工艺的mos管结电容Qg跟Ciss最小，所以开关损耗是非常小的，高频大电流的情况下，mos管开关损耗可能占整体损耗的90%。mos管另外需要关注开启电压Vth、Vgs耐压等。

mos管选型建议：

1、需要扛电流冲击的，普通逻辑开关或者工作频率很低比如50kHZ以内的，电流非常大的情况比如实际工作6A以上的话一般建议选择平面mos管。6A以内的应用，大电流沟槽型mos管即可。

2、需要高频开关，比如500kHZ以上的，则需要选择沟槽型或者SGT型的mos管，开关损耗占比非常小。

3、普通的PWM控制芯片搭配，应用于控制脉宽调制的，100-300KHZ芯片开关工作频率的话，可以选择沟槽型或者SGT型号，根据电流大小及开关频率决定。此应用领域相对来说SGT的产品性能会好很多，但是价格相对高些。mos管的损耗=导通内阻损耗+mos管开关损耗。

4、一些对空间体积要求非常好的应用，一般选择小体积超薄封装DFN的mos管，特别是电流较大工作频率较高的时候。