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ASE40N20-ASEMI工业控制专用ASE40N20
型号：ASE40N20
品牌：ASEMI
封装：TO-263
最大漏源电流：40A
漏源击穿电压：200V
批号：最新
RDS（ON）Max：65mΩ
引脚数量：3
沟道类型：N沟道MOS管
封装尺寸：如图
特性：MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55℃~150℃
ASE40N20场效应管是一款N沟道增强型功率MOSFET，200V漏源击穿电压（BVDSS）和40A连续漏极电流的设计使其适用于高电压、大电流场景。其导通电阻（RDS(ON)）低至0.08Ω（Max @VGS=10V），显著降低导通损耗，提升系统效率。此外，快速切换能力（上升时间32ns，下降时间83ns）和低栅极电荷（50nC）进一步优化了开关性能，适用于高频电路。
产品特点与行业适配性
高可靠性设计
100% EAS/Rg/DVDS测试确保器件在极端条件下的稳定性。
800mJ雪崩耐量和高温耐受性（工作温度范围-55~150℃），适用于复杂工业环境。
广泛的应用领域
电源系统：DC-DC转换器、开关电源、UPS的DC-AC转换。
消费电子：无线充电器、拉杆音箱、逆变电路等消费类产品。
工业控制：电机驱动、安防设备、储能电源等高压场景。
封装与适配性
提供TO-263和TO-3P封装选项，兼容主流电路设计需求。
支持直接代换IRFB31N20D等同类MOS管，简化供应链管理。
ASE40N20场效应管凭借低功耗、高能效特性，成为光伏逆变器、新能源汽车充电模块等绿色能源领域的优选器件。国内厂商通过20年技术积累实现产品性能对标国际品牌，同时提供定制化解决方案，满足电源厂商差异化需求。
典型应用案例
无线充电器：低导通损耗和快速响应提升充电效率。
工业逆变器：1200V高压型号适配太阳能光伏系统。
消费电子电源：TO-263封装的ASE40N20D型号在110V全桥逆变电路中表现稳定
