编辑：ll
ASE100N10-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE100N10
型号：ASE100N10
品牌：ASEMI
封装：TO-220
批号：最新
最大漏源电流：100A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：8.8mΩ
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的ASE100N10 MOS管
ASEMI品牌ASE100N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE100N10的最大漏源电流100A，漏源击穿电压100V.
•细节体现差距
ASE100N10，ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
ASE100N10具体参数为：最大漏源电流：100A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220
